Аннотация:
С помощью метода линеаризованных присоединенных цилиндрических волн рассчитана электронная структура сегментированных нанотрубок, составленных из чередующихся слоев нанотрубок BN и SiC (5,5) и (9,0) конфигурации кресло и зигзаг и различающихся ориентацией химических связей в сегментах, а также природой связей (Si-N и B-C или Si-B и N-C) на границах участков BN и SiC. Расчеты проведены с использованием функционала локальной плотности и маффинтин приближения для электронного потенциала. Установлено, что в зависимости от связей на границах сегментов нанотрубки BN/SiC (5,5) являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны EgEg от 1 до 3 эВ, а нанотрубки BN/SiC (9,0) обладают металлическим, полуметаллическим или полупроводниковым (Eg∼1Eg∼1 эВ) типом зонной структуры.
Поступила в редакцию: 16.02.2009 Исправленный вариант: 27.04.2009
Образец цитирования:
А. С. Романов, А. А. Лисенко, П. М. Силенко, П. Н. Дьячков, “Электронное строение композитных сегментированных нанотрубок SiC/BN”, Письма в ЖЭТФ, 89:11 (2009), 660–664; JETP Letters, 89:11 (2009), 558–562