Processing math: 100%
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 2019, том 61, выпуск 2, страницы 365–375
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2019.02.47139.146
(Mi ftt8930)
 

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Системы низкой размерности

Компьютерное моделирование структуры и механических свойств слоев силицена на графите при движении иона лития

А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина

Институт высокотемпературной электрохимии УРО РАН, Екатеринбург, Россия
Аннотация: Методом молекулярной динамики исследованы структурные и механические эффекты, появляющиеся при движении иона лития в постоянном электрическом поле по плоскому каналу, образованному совершенными листами силицена и листами, содержащими дефекты вакансионного типа. Моно-, би-, три- и гексавакансии достаточно плотно и равномерно заполняли листы силицена, размещенные один над другим на графитовой подложке. Определены времена прохождения ионом Li+ силиценовых каналов, имеющих различные зазоры. Построение многогранников Вороного и усеченных многогранников, центры которых совпадают с положением движущегося иона, позволило выявить структурные особенности, присущие двумерной слоистой структуре. Установлен характер появляющихся в листах силицена напряжений, наиболее критичных к перемещению иона по каналу.
Поступила в редакцию: 28.05.2018
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2019, Volume 61, Issue 2, Pages 233–243
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783419020136
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, “Компьютерное моделирование структуры и механических свойств слоев силицена на графите при движении иона лития”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 365–375; Phys. Solid State, 61:2 (2019), 233–243
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GalIva19}
\by А.~Е.~Галашев, К.~А.~Иваничкина
\paper Компьютерное моделирование структуры и механических свойств слоев силицена на графите при движении иона лития
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 2
\pages 365--375
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8930}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.02.47139.146}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37478241}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 2
\pages 233--243
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419020136}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt8930
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i2/p365
  • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    1. A.Y. Galashev, “Prospects for using silicene as an anode for lithium-ion batteries. A review”, Journal of Energy Storage, 93 (2024), 112281  crossref
    2. А. Е. Галашев, “Компьютерное моделирование силиценового анода на подложке из карбида кремния”, Химическая физика, 42:2 (2023), 49  crossref
    3. Alexander Y. Galashev, Alexey S. Vorob'ev, “First principle modeling of a silicene-aluminum composite anode for lithium ion batteries”, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 181 (2023), 111491  crossref
    4. A. E. Galashev, “Computer Simulation of a Silicene Anode on a Silicone Carbide Substrate”, Russ. J. Phys. Chem. B, 17:1 (2023), 113  crossref
    5. А. Е. Галашев, К. А. Иваничкина, А. С. Воробьёв, “Исследование термической устойчивости монослойной пленки SnS2, расположенной на графитовой подложке”, ТВТ, 59:1 (2021), 74–81  mathnet  crossref  elib; A. E. Galashev, K. A. Ivanichkina, A. S. Vorob`ev, “Study of the thermal stability of a monolayer SnS2 film on a graphite substrate”, High Temperature, 59:1 (2021), 66–72  crossref  isi
    6. Alexander Galashev, “Numerical Simulation of a 2D Layered Anode for use in Lithium-Ion Batteries”, Int. J. Comput. Methods, 18:09 (2021)  crossref
    7. A.Y. Galashev, O.R. Rakhmanova, “Promising two-dimensional nanocomposite for the anode of the lithium-ion batteries. Computer simulation”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 126 (2021), 114446  crossref
    8. A. E. Galashev, K. A. Ivanichkina, “Computer Study of Silicene Channel Structure Based on the Transport of Li+”, Russ. J. Phys. Chem., 95:4 (2021), 724  crossref
    9. Ksenia A. Ivanichkina, Alexander Y. Galashev, Andrey V. Isakov, “Computational modeling of electrolytic deposition of a single-layer silicon film on silver and graphite substrates”, Applied Surface Science, 561 (2021), 149959  crossref
    10. Alexander Y. Galashev, Kseniya A. Ivanichkina, Oksana R. Rakhmanova, “Advanced hybrid-structured anodes for lithium-ion batteries”, Computational Materials Science, 200 (2021), 110771  crossref
    11. Alexander Y. Galashev, Ksenia A. Ivanichkina, Konstantin P. Katin, Mikhail M. Maslov, “Computer Test of a Modified Silicene/Graphite Anode for Lithium-Ion Batteries”, ACS Omega, 5:22 (2020), 13207  crossref
    12. Alexander Y. Galashev, Alexey S. Vorob'ev, “Electronic and mechanical properties of silicene after nuclear transmutation doping with phosphorus”, J Mater Sci, 55:25 (2020), 11367  crossref
    13. A. E. Galashev, O. R. Rakhmanova, K. P. Katin, M. M. Maslov, Yu. P. Zaikov, “Effect of an Electric Field on a Lithium Ion in a Channel of the Doped Silicene–Graphite System”, Russ. J. Phys. Chem. B, 14:6 (2020), 1055  crossref
    14. Alexander Galashev, Ksenia Ivanichkina, Konstantin Katin, Mikhail Maslov, “Computational Study of Lithium Intercalation in Silicene Channels on a Carbon Substrate after Nuclear Transmutation Doping”, Computation, 7:4 (2019), 60  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025