|
Сегнетоэлектричество
Квазистационарные процессы диэлектрической релаксации в тонких поликристаллических пленках PZT
В. В. Ивановa, Е. Н. Голубеваa, О. Н. Сергееваab, Г. М. Некрасоваb, И. П. Пронинc, Д. А. Киселевd a Тверской государственный университет
b Тверская государственная сельскохозяйственная академия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
Аннотация:
Проведены исследования релаксационных процессов в поликристаллических пленках PZT, сформированных на кремниевых подложках при квазистатическом изменении внешнего электрического поля. Показано, что диэлектрическая релаксация характеризуется, по крайней мере, тремя временами релаксации, зависящими от направления самополяризации в пленке, величины поляризующего поля, а также от температуры отжига пленок PZT.
Ключевые слова:
тонкие поликристаллические пленки PZT, ВЧ магнетронное распыление, релаксационные явления.
Поступила в редакцию: 17.04.2020 Исправленный вариант: 17.04.2020 Принята в печать: 21.04.2020
Образец цитирования:
В. В. Иванов, Е. Н. Голубева, О. Н. Сергеева, Г. М. Некрасова, И. П. Пронин, Д. А. Киселев, “Квазистационарные процессы диэлектрической релаксации в тонких поликристаллических пленках PZT”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1665–1669; Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1868–1872
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8287 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v62/i10/p1665
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 69 | PDF полного текста: | 22 |
|