Аннотация:
Проанализированы работы по созданию новых неорганических материалов для газовых сенсоров на основе полупроводниковых структур. Обсуждено влияние адсорбированных молекул на электронное состояние, электропроводность поверхности и внутренних границ раздела в полупроводниковых материалах. Механизм газовой чувствительности рассмотрен на примерах структур металл/диэлектрик/полупроводник, полупроводник/диэлектрик/полупроводник, металл/полупроводник и полупроводник/полупроводник. Отмечены особенности поведения гетероструктур на основе нанокристаллических оксидов металлов на подложках из монокристаллического кремния с диэлектрическим слоем SiO2. Описаны сенсорные свойства полупроводниковых структур при детектировании различных молекул. Библиография — 114 ссылок.
Образец цитирования:
Р. Б. Васильев, Л. И. Рябова, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, “Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров”, Усп. хим., 73:10 (2004), 1019–1038; Russian Chem. Reviews, 73:10 (2004), 939–956