Аннотация:
Получена генерация на кристаллах Y1,5Er1,5Al5O12 (λ = 2,94 мкм) при селективной накачке в электронно-колебательное крыло перехода 4I15/2–4I13/2. Показано, что инверсия населенности
в YAG:Er3+-лазере осуществляется за счет эффективного взаимодействия возбужденных
ионов Er3+ на уровне 4I13/2 и переноса энергии с нижнего лазерного уровня на верхний по схеме 4I13/2–4I9/2, 4I13/2–4I15/2.
Образец цитирования:
В. И. Жеков, В. А. Лобачев, Т. М. Мурина, А. В. Попов, A. М. Прохоров, М. И. Студеникин, “Генерация на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ (λ = 2,94 мкм) при селективном возбуждении на нижний лазерный уровень”, Квантовая электроника, 16:6 (1989), 1138–1140 [Sov J Quantum Electron, 19:6 (1989), 737–738]