Аннотация:
Показано, что кратковременное плавление ВТСП-керамики с использованием излучения СО2-лазера в сочетании с непродолжительной термообработкой приводит к образованию более плотной мелкозернистой структуры (размер зерен 2 — 3 мкм) как в исходной керамике Bi(2223), так и в легированном материале. Структура полученного типа способствует заметному повышению критического тока сверхпроводника.
Образец цитирования:
А. Л. Михайличенко, Г. Н. Михайлова, A. М. Прохоров, А. С. Сеферов, А. В. Троицкий, А. О. Медников, Б. П. Михайлов, Г. С. Бурханов, И. Е. Лапшина, “Лазерное плавление ВТСП-керамики на основе Bi(2223)”, Квантовая электроника, 23:8 (1996), 715–718 [Quantum Electron., 26:8 (1996), 696–699]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe758
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v23/i8/p715
Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
Guan M., Xin C., Wu W., Yao Q., Ma L., AIP Adv., 10:3 (2020), 035102
G. G. Kuzyakhmetov, A. F. Bobkov, A. L. Suvorov, Yu. N. Cheblukov, A. N. Balabaev, A. S. Fedotov, Tech. Phys. Lett., 24:1 (1998), 30