Аннотация:
С помощью внешних диэлектрических пластин с гофром осуществлена брэгговская селекция частоты в полупроводниковом лазере дальнего ИК диапазона на горячих дырках p-Ge. Это позволяет получать различные заданные частоты генерации на одном и том же активном элементе.
Образец цитирования:
А. А. Андронов, В. А. Козлов, С. А. Павлов, С. Г. Павлов, “Внешняя брэгговская селекция в полупроводниковом лазере на горячих дырках в германии”, Квантовая электроника, 17:10 (1990), 1303–1305 [Sov J Quantum Electron, 20:10 (1990), 1211–1213]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe7446
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v17/i10/p1303
Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
K. Park, R.E. Peale, H. Weidner, J.J. Kim, IEEE J. Quantum Electron., 32:7 (1996), 1203