Аннотация:
Теоретически исследованы различные режимы генерации гиперзвуковых волн при поглощении пикосекундных импульсов света в полупроводниках. Показано, что основной вклад в возбуждаемые акустические импульсы может давать деформационный механизм, связанный с изменением равновесной плотности полупроводников при фотовозбуждении в них электронно-дырочных пар. Установлены условия совпадения профиля импульса деформации с огибающей светового импульса.
Образец цитирования:
С. М. Аванесян, В. Э. Гусев, “Возбуждение сверхкоротких импульсов деформации при поглощении оптического излучения в полупроводниках”, Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1241–1249 [Sov J Quantum Electron, 16:6 (1986), 812–817]