Аннотация:
Сообщается о создании высокоэффективного параметрического генератора света ближнего ИК диапазона с выходной энергией в несколько джоулей при накачке несфокусированным гипергауссовым пучком неодимового лазера кристаллов ADP, выращенных новым методом скоростного роста.
Образец цитирования:
С. А. Ахманов, И. А. Бегишев, А. А. Гуламов, Е. А. Ерофеев, Б. В. Жданов, В. И. Кузнецов, Л. Н. Рашкович, Т. Б. Усманов, “Высокоэффективное параметрическое преобразование частоты света в широкоапертурных кристаллах, выращенных методом скоростного роста”, Квантовая электроника, 11:9 (1984), 1701–1702 [Sov J Quantum Electron, 14:9 (1984), 1145–1146]