Аннотация:
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлена сверхрешетка с напряженными слоями ZnCdSe/ZnSe, использованная в качестве активного слоя в экране лазерной электронно-лучевой трубки. При комнатной температуре получена мощность в 1.6 Вт в одной продольной моде на длине волны 484 нм и улучшены ранее известные результаты при энергии электронов ниже 50 кэВ.
Образец цитирования:
Н. Г. Басов, Е. М. Дианов, В. И. Козловский, А. Б. Крыса, А. С. Насибов, Ю. М. Попов, A. М. Прохоров, П. А. Трубенко, Е. А. Щербаков, “Лазерная электронно-лучевая трубка на основе сверхрешетки ZnCdSe/ZnSe, работающая при Т = 300 K”, Квантовая электроника, 22:8 (1995), 756–758 [Quantum Electron., 25:8 (1995), 726–728]