Аннотация:
Предложена феноменологическая модель эффекта накопления необратимых изменений, инициированных поглощающими включениями в прозрачном диэлектрическом материале под действием лазерного излучения. Исследована кинетика накопления необратимых изменений в случае как сильно поглощающего, так и слабо поглощающего включения. Установлены основные закономерности процесса накопления, в частности зависимость интенсивности лазерного излучения, приводящего к разрушению диэлектрика в режиме многократного облучения, от числа импульсов. Результаты сопоставляются с экспериментальными данными.
Образец цитирования:
М. Ф. Колдунов, А. А. Маненков, И. Л. Покотило, “Теоретический анализ эффекта накопления в лазерном разрушении прозрачных диэлектриков при многократном облучении”, Квантовая электроника, 22:7 (1995), 701–705 [Quantum Electron., 25:7 (1995), 674–678]