В. А. Бойко, Б. А. Брюнеткин, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. И. Корнейчук, С. А. Пикуз, И. Ю. Скобелев, К. А. Шилов, А. Я. Фаенов, А. И. Федосимов, С. И. Яковленко, “Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме”, Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1286–1288 [Sov J Quantum Electron, 13:6 (1983), 833

Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 6, страницы 1286–1288 (Mi qe4332)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме

В. А. Бойко, Б. А. Брюнеткин, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. И. Корнейчук, С. А. Пикуз, И. Ю. Скобелев, К. А. Шилов, А. Я. Фаенов, А. И. Федосимов, С. И. Яковленко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

PDF полного текста (658 kB) Список цитирования (2)

Аннотация: Зарегистрирована инверсная населенность уровней n = 5,4,3 Н-подобного иона FIX в рекомбинирующей лазерной плазме. Расчетные коэффициенты усиления составляют 10^–2–10^–1 см^–1 и согласуются с оценками на основе измерений абсолютных интенсивностей спектральных линий. Исследуется геометрия разлета плазменного факела.

Поступила в редакцию: 19.07.1982

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1983, Volume 13, Issue 6, Pages 833–835
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1983v013n06ABEH004332

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 52.50.Jm, 52.25.Ps

Образец цитирования: В. А. Бойко, Б. А. Брюнеткин, Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, В. И. Корнейчук, С. А. Пикуз, И. Ю. Скобелев, К. А. Шилов, А. Я. Фаенов, А. И. Федосимов, С. И. Яковленко, “Инверсная населенность уровней Н-подобного иона фтора в рекомбинирующей лазерной плазме”, Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1286–1288 [Sov J Quantum Electron, 13:6 (1983), 833–835]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe4332

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i6/p1286

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

C De Michelis, M Mattioli, Rep. Prog. Phys., 47:10 (1984), 1233
V. Boiko, F. Bunkin, V. Derzhiev, S. Yakovlenko, IEEE J. Quantum Electron., 20:3 (1984), 206

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	146
PDF полного текста:	98
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы