Аннотация:
Процесс рекристаллизации поверхности GaAs при импульсном лазерном отжиге исследуется с помощью генерации второй гармоники излучения лазера с синхронизацией мод. Время рекристаллизации не превышает 30–40 нс. Результаты описываются расплавной теорией лазерного отжига.
Образец цитирования:
С. А. Ахманов, И. Б. Хайбуллин, М. Ф. Галяутдинов, Н. И. Коротеев, Г. А. Пайтян, Е. И. Штырков, И. Л. Шумай, “Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия”, Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1077–1078 [Sov J Quantum Electron, 13:6 (1983), 687–688]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4269
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i6/p1077
Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
O. Yu. Semchuk, O. O. Havryliuk, Poverhn., 9(24) (2017), 118
J. Raman Spectrosc., 31:8-9 (2000), 645
J-P. Hirvonen, T. R. Jervis, T. G. Zocco, MRS Proc., 157 (1989)