Аннотация:
При накачке плотного (p = 0,5–2,5 атм) гелия протонным пучком (j = 2–12 A/см2) впервые наблюдалось стимулированное излучение на переходах 4–3 (λ = 468,5 нм) и 5–3 (λ = 320 нм) водородоподобного иона He II. Усиление имеет место в квазистационарной переохлажденной плазме за счет рекомбинационной накачки верхних рабочих уровней.
Образец цитирования:
Ф. В. Бункин, В. М. Быстрицкий, В. И. Держиев, А. Н. Диденко, В. В. Коробкин, Я. Е. Карасик, Г. Ю. Петрущенко, С. С. Сулакшин, С. И. Яковленко, “Наблюдение стимулированного излучения на переходах He II при накачке протонным пучком”, Квантовая электроника, 10:5 (1983), 1063–1065 [Sov J Quantum Electron, 13:5 (1983), 679–681]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4265
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i5/p1063
Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
L. Frey, U. M�ller, H. Langhoff, Appl. Phys. B, 41:3 (1986), 147
V. Boiko, F. Bunkin, V. Derzhiev, S. Yakovlenko, IEEE J. Quantum Electron., 20:3 (1984), 206