Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 722–726 [Quantum Electron., 50:8 (2020), 722

Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 8, страницы 722–726 (Mi qe17302)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры, активные среды лазеров

Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров

Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

PDF полного текста (833 kB) Список цитирования (1)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследованы лазеры на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs спектрального диапазона 1.0 – 1.1 мкм с целью оптимизации эмиттерных слоев. Проанализировано влияние толщины и состава эмиттерных слоев на вытекание излучения из волновода лазера. Показано, что при толщинах эмиттеров 0.86 – 1.24 мкм оно практически не влияет на мощность излучения лазера. Продемонстрировано влияние длины кристалла и коэффициентов отражения зеркал лазера на вытекание излучения.

Ключевые слова: лазерные диоды, спектральный диапазон 1.0 – 1.1. мкм, вытекание излучения.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	19-79-30072
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, проект № 19-79-30072.

Поступила в редакцию: 10.03.2020

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 8, Pages 722–726
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17323

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, В. А. Крючков, И. С. Шашкин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 722–726 [Quantum Electron., 50:8 (2020), 722–726]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17302

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i8/p722

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Sh. Wen, H. Jia, D. Li, First Optics Frontier Conference, Proceedings of SPIE, 11850, eds. S. Zhu, T. Cui, X. Luo, L. Zhang, SPIE-Int Soc Optical Engineering, 2021, 1185012

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	204
PDF полного текста:	63
Список литературы:	40
Первая страница:	12

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы