В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза”, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174 [Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172

Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 12, страницы 1172–1174 (Mi qe17155)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза

В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

PDF полного текста (1118 kB) Список цитирования (1)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs создана лазерная гетероструктура AlGaAs/GaAs/GaInAs типа зарощенная меза с длиной волны излучения 1050 нм. На основе полученной гетероструктуры изготовлены и исследованы мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм. Внутренние оптические потери лазерных диодов составили 2.4 см^-1. При длине резонатора лазера 2900 мкм достигнута выходная оптическая мощность в две стороны 2.1 и 23 Вт в непрерывном и импульсном режимах генерации соответственно.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, лазерный диод, гетероструктура, МОС-гидридная эпитаксия, зарощенная меза.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	19-79-30072
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-79-30072).

Поступила в редакцию: 17.09.2019
Исправленный вариант: 02.10.2019

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 12, Pages 1172–1174
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17135

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. В. Шамахов, Д. Н. Николаев, В. С. Головин, Д. А. Веселов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза”, Квантовая электроника, 49:12 (2019), 1172–1174 [Quantum Electron., 49:12 (2019), 1172–1174]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17155

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i12/p1172

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Viktor Shamakhov, Dmitriy Nikolaev, Sergey Slipchenko, Evgenii Fomin, Alexander Smirnov, Ilya Eliseyev, Nikita Pikhtin, Peter Kop`ev, Nanomaterials, 11:1 (2020), 11

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	231
PDF полного текста:	50
Список литературы:	45
Первая страница:	9

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы