Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 4, страницы 380–385 (Mi qe17026)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Специальный выпуск 'Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом'

Сравнение подходов в изготовлении широкополосных зеркал для ЭУФ диапазона: апериодические и стековые структуры

М. М. Барышеваa, С. А. Гарахинa, С. Ю. Зуевa, В. Н. Полковниковa, Н. Н. Салащенкоa, М. В. Свечниковa, Н. И. Чхалоa, С. Юлинb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Fraunhofer Institute for Applied Optics and Precision Engineering IOF, Germany
Список литературы:
Аннотация: Разработан дизайн и экспериментально изучены апериодические и стековые шикорокополосные Mo/Si-зеркала для задач проекта "Кортес", оптимизированные на равномерное отражение в диапазоне длин волн 17–21 нм. Показано, что стековые структуры при незначительном проигрыше в величине коэффициента отражения оказываются намного более предпочтительными с точки зрения изготовления и аттестации, что, в свою очередь, позволяет корректировать процесс напыления и за небольшое число итераций достигать расчетных параметров многослойного зеркала.
Ключевые слова: ЭУФ, широкополосные зеркала, апериодические структуры, блок-структуры, стековые структуры, магнетронное напыление, обратная задача.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций I.1
Российский фонд фундаментальных исследований 18-32-00173
Работа поддержана программой Президиума РАН I.1 “Экстремальные световые поля и их взаимодействие с веществом”. Доработка программы Multifitting для решения задачи оптимизации в классе стековых структур выполнялась в рамках гранта РФФИ для молодых ученых № 18-32-00173.
Поступила в редакцию: 06.03.2019
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 4, Pages 380–385
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16990
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. М. Барышева, С. А. Гарахин, С. Ю. Зуев, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, С. Юлин, “Сравнение подходов в изготовлении широкополосных зеркал для ЭУФ диапазона: апериодические и стековые структуры”, Квантовая электроника, 49:4 (2019), 380–385 [Quantum Electron., 49:4 (2019), 380–385]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17026
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i4/p380
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    1. Jean‐Michel ANDRÉ, Philippe JONNARD, X‐ray Radiation and Artificial Bragg Structures, 2025, 121  crossref
    2. Mikhail Svechnikov, J Appl Crystallogr, 57:3 (2024), 848  crossref
    3. Huanhuan Zhang, Guowei Liu, Shujing Chen, Chengyou Lin, Opt Quant Electron, 56:8 (2024)  crossref
    4. A. A. Akhasakhalyan, S. A. Garakhin, F. A. Dar'in, M. V. Zorina, V. V. Kriventsov, D. D. Pershin, A. E. Pestov, R. S. Pleshkov, V. N. Polkovnikov, Ya. V. Rakshun, N. N. Salaschenko, S. S. Svetokhin, M. V. Svechnikov, D. S. Sorokoletov, V. A. Chernov, N. I. Chkhalo, Tech. Phys., 69:3 (2024), 468  crossref
    5. S. S. Morozov, S. A. Garakhin, N. I. Chkhalo, J. Surf. Investig., 17:S1 (2023), S250  crossref
    6. Yang T., Chen Sh., Lin Ch., J. Opt., 24:4 (2022), 045001  crossref  isi
    7. Chengyou Lin, Taolve Yang, Shujing Chen, Appl. Phys. B, 128:9 (2022)  crossref
    8. M. M. Barysheva, S. A. Garakhin, A. O. Kolesnikov, A. S. Pirozhkov, V. N. Polkovnikov, E. N. Ragozin, A. N. Shatokhin, R. M. Smertin, M. V. Svechnikov, E. A. Vishnyakov, Opt. Mater. Express, 11:9 (2021), 3038–3048  crossref  isi
    9. Zh. Lin, G. Bai, Sh. Chen, Ch. Lin, Opt. Commun., 493 (2021), 127018  crossref  isi  scopus
    10. В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, УФН, 190:1 (2020), 92–106  mathnet  crossref  adsnasa; V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, M. V. Svechnikov, N. I. Chkhalo, Phys. Usp., 63:1 (2020), 83–95  crossref  isi  elib
    11. М. М. Барышева, И. В. Малышев, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 401–407  mathnet; Quantum Electron., 50:4 (2020), 401–407  crossref  isi  elib
    12. M. Svechnikov, J. Appl. Crystallogr., 53:1 (2020), 244–252  crossref  isi  scopus
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:234
    PDF полного текста:41
    Список литературы:41
    Первая страница:12
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025