Аннотация:
Разработан дизайн и экспериментально изучены апериодические и стековые шикорокополосные Mo/Si-зеркала для задач проекта "Кортес", оптимизированные на равномерное отражение в диапазоне длин волн 17–21 нм. Показано, что стековые структуры при незначительном проигрыше в величине коэффициента отражения оказываются намного более предпочтительными с точки зрения изготовления и аттестации, что, в свою очередь, позволяет корректировать процесс напыления и за небольшое число итераций достигать расчетных параметров многослойного зеркала.
Работа поддержана программой Президиума РАН I.1 “Экстремальные световые поля и их взаимодействие
с веществом”. Доработка программы Multifitting для решения задачи оптимизации в классе стековых структур выполнялась в рамках гранта РФФИ для молодых ученых № 18-32-00173.
Образец цитирования:
М. М. Барышева, С. А. Гарахин, С. Ю. Зуев, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, С. Юлин, “Сравнение подходов в изготовлении широкополосных зеркал для ЭУФ диапазона: апериодические и стековые структуры”, Квантовая электроника, 49:4 (2019), 380–385 [Quantum Electron., 49:4 (2019), 380–385]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe17026
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i4/p380
Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
Jean‐Michel ANDRÉ, Philippe JONNARD, X‐ray Radiation and Artificial Bragg Structures, 2025, 121
A. A. Akhasakhalyan, S. A. Garakhin, F. A. Dar'in, M. V. Zorina, V. V. Kriventsov, D. D. Pershin, A. E. Pestov, R. S. Pleshkov, V. N. Polkovnikov, Ya. V. Rakshun, N. N. Salaschenko, S. S. Svetokhin, M. V. Svechnikov, D. S. Sorokoletov, V. A. Chernov, N. I. Chkhalo, Tech. Phys., 69:3 (2024), 468
S. S. Morozov, S. A. Garakhin, N. I. Chkhalo, J. Surf. Investig., 17:S1 (2023), S250
Yang T., Chen Sh., Lin Ch., J. Opt., 24:4 (2022), 045001
M. M. Barysheva, S. A. Garakhin, A. O. Kolesnikov, A. S. Pirozhkov, V. N. Polkovnikov, E. N. Ragozin, A. N. Shatokhin, R. M. Smertin, M. V. Svechnikov, E. A. Vishnyakov, Opt. Mater. Express, 11:9 (2021), 3038–3048
В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, УФН, 190:1 (2020), 92–106; V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, M. V. Svechnikov, N. I. Chkhalo, Phys. Usp., 63:1 (2020), 83–95
М. М. Барышева, И. В. Малышев, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, М. В. Свечников, Н. И. Чхало, Квантовая электроника, 50:4 (2020), 401–407; Quantum Electron., 50:4 (2020), 401–407
M. Svechnikov, J. Appl. Crystallogr., 53:1 (2020), 244–252