Аннотация:
Исследовано воздействие субнаносекундных импульсов высокого напряжения (U = 50 — 200 кВ, tp = 100 — 500 пс) на плоскопараллельные пластины ZnSe толщиной 1 — 2 мм. Эксперименты проводились на воздухе при атмосферном давлении и комнатной температуре. Образец помещался между катодным электродом и кольцевым анодом. Разряд распространялся в направлении силовых линий электрического поля. На фронте разряда и напротив катодного электрода возникала генерация лазерного излучения (λ = 480 нм). Средняя скорость распространения разряда достигала 5 × 108 см·с-1, импульсная мощность была равна 600 Вт, расходимость излучения не превышала 2 — 3°. Развития стримерных разрядов, ориентированных вдоль кристаллографических направлений, в данном случае не наблюдалось.
Поступила в редакцию: 12.07.2007 Исправленный вариант: 11.09.2007
Образец цитирования:
Г. А. Месяц, А. С. Насибов, В. Г. Шпак, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, “Генерация лазерного излучения в монокристаллах селенида цинка под действием субнаносекундных импульсов высокого напряжения”, Квантовая электроника, 38:3 (2008), 213–214 [Quantum Electron., 38:3 (2008), 213–214]
А. С. Насибов, К. В. Бережной, М. Б. Бочкарев, А. Г. Садыкова, П. В. Шапкин, С. А. Шунайлов, Квантовая электроника, 44:3 (2014), 201–205; Quantum Electron., 44:3 (2014), 201–205
A. S. Nasibov, V. G. Bagramov, K. V. Berezhnoi, P. V. Shapkin, Bull. Lebedev Phys. Inst, 40:4 (2013), 97
К. В. Бережной, М. Б. Бочкарев, Г. Л. Даниелян, А. С. Насибов, А. Г. Реутова, С. А. Шунайлов, М. И. Яландин, Квантовая электроника, 42:1 (2012), 34–38; Quantum Electron., 42:1 (2012), 34–38
K. V. Berezhnoy, A. S. Nasibov, A. G. Reutova, P. V. Shapkin, S. A. Shunailov, M. I. Yalandin, Opt Mem Neural Networks, 18:4 (2009), 285
A. S. Nasibov, K. V. Berezhnoi, P. V. Shapkin, A. G. Reutova, S. A. Shunailov, M. I. Yalandin, Instrum Exp Tech, 52:1 (2009), 65