Аннотация:
Исследованы рабочие характеристики линейки лазерных диодов на основе AlGaAs, припаянной индием к теплообменнику из SiC. Получена средняя выходная мощность 14 Вт при КПД ~25%. Тепловое сопротивление системы составило 0.05 К/Вт. Сравнение экспериментальных результатов с расчетами тепловых потоков показало, что несмотря на толстый слой припоя устройство способно отводить поток тепла в среднем в два раза больший, чем зарегистрировано в экспериментах. Расхождение экспериментальных и теоретических результатов может быть объяснено структурным несовершенством слоя припоя, характерным для использовавшегося способа соединения диодной линейки с теплообменником и электродами.Ключевые слова: линейка лазерных диодов, теплообменник из карбида кремния, расчет тепловых потоков.
Образец цитирования:
В. В. Аполлонов, Г. И. Бабаянц, М. Н. Грудень, С. И. Державин, А. А. Казаков, Б. Ш. Кишмахов, Ю. П. Коваль, В. В. Кузьминов, Д. А. Машковский, A. М. Прохоров, В. П. Смекалин, В. Н. Тимошкин, “Исследование тепловых свойств лазерной диодной линейки на теплообменнике из карбида кремния”, Квантовая электроника, 24:10 (1997), 869–874 [Quantum Electron., 27:10 (1997), 845–849]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1076
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i10/p869
Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
Kai Takeuchi, Eiji Higurashi, Micromachines, 16:4 (2025), 439
Apollonov V.: Apollonov, V, High-Conductivity Channels in Space, Springer Series on Atomic Optical and Plasma Physics, 103, Springer, 2018, 257–298
В. В. Аполлонов, Квантовая электроника, 44:2 (2014), 102–121; Quantum Electron., 44:2 (2014), 102–121