Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2022, том 48, выпуск 12, страницы 40–43
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.12.52678.19242
(Mi pjtf7337)
 

Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs

И. С. Маховa, А. А. Бекманb, М. М. Кулагинаb, Ю. А. Гусеваb, Н. В. Крыжановскаяa, А. М. Надточийa, М. В. Максимовc, А. Е. Жуковa

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μμm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через основной оптический переход квантовых точек.
Ключевые слова: микролазер, квантовые точки, двухуровневая генерация, основное состояние, возбужденное состояние.
Финансовая поддержка Номер гранта
Научный фонд НИУ ВШЭ
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0791-2020-0002
Исследование характеристик структур проведено в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ. Изготовление структур выполнено при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках проекта 0791-2020-0002.
Поступила в редакцию: 29.04.2022
Исправленный вариант: 04.05.2022
Принята в печать: 04.05.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. С. Махов, А. А. Бекман, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Н. В. Крыжановская, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022), 40–43
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakBekKul22}
\by И.~С.~Махов, А.~А.~Бекман, М.~М.~Кулагина, Ю.~А.~Гусева, Н.~В.~Крыжановская, А.~М.~Надточий, М.~В.~Максимов, А.~Е.~Жуков
\paper Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2022
\vol 48
\issue 12
\pages 40--43
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf7337}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2022.12.52678.19242}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48708388}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf7337
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v48/i12/p40
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025