Нелинейные эффекты при распылении арсенида галлия и кремния кластерными ионами висмута

Проведено экспериментальное исследование влияния энергии и количества атомов в бомбардирующих ионах Bi$_n^+$ ($n$ = 1–4) на коэффициент распыления GaAs. Показано, что удельный коэффициент распыления $Y_{sp}$ неаддитивно увеличивается с ростом $n$ и кинетической энергии $E_{sp}$, приходящейся на один атом в бомбардирующем ионе, и эффективность передачи энергии от бомбардирующих ионов к атомам мишени также возрастает с ростом $n$. Проведено сравнение с полученными ранее результатами для Si-мишеней.