Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2024, том 50, выпуск 22, страницы 48–52
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.22.59136.20059 (Mi pjtf6828) 		 
Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP

П. Е. Копытовa, И. А. Старковa, И. И. Новиковa, С. А. Блохинb, Д. С. Папылевa, Р. В. Левинb, В. В. Андрюшкинa, Я. Н. Ковачb, Е. В. Никитинаc, К. О. Воропаевd, Л. Я. Карачинскийa

a Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
d АО "ОКБ-Планета", Великий Новгород, Россия
PDF полного текста (333 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.22.59136.20059
Аннотация: Разработан физический подход для моделирования процесса диффузии Zn в гетероструктуры InGaAs/InP из металлоорганического источника диэтилцинка в реакторе установки газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Результаты численных расчетов на основе предложенной модели показали соответствие экспериментальным данным по распределению электрически активных примесей в гетероструктурах InGaAs/InP, полученным методом вольт-фарадного профилирования. Установлены эффективные коэффициенты диффузии Zn в материалах InGaAs/InP и их зависимости от температуры и давления в реакторе. Определены нелинейные координатные зависимости коэффициента сегрегации, уникальные для каждого технологического процесса. Сравнение результатов численного моделирования с данными, полученными методом сканирующей электронной микроскопии двумерного профиля диффузии, продемонстрировало изотропность диффузионных процессов для гетероструктур InGaAs/InP.
Ключевые слова: диффузия, диэтилцинк, примесь, сегрегация, фосфид индия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Федеральное агентство железнодорожного транспорта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 2019-1442
Авторы благодарят РЖД за финансовую поддержку в части изготовления образцов гетероструктур InGaAs/InP для комплексных исследований процесса диффузии Zn. Расчеты одномерных распределений электрически активных примесей выполнены при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, проект тематики научных исследований № 2019-1442 (код научной темы FSER-2020-0013).
Поступила в редакцию: 14.07.2024
Исправленный вариант: 22.07.2024
Принята в печать: 29.07.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. Е. Копытов, И. А. Старков, И. И. Новиков, С. А. Блохин, Д. С. Папылев, Р. В. Левин, В. В. Андрюшкин, Я. Н. Ковач, Е. В. Никитина, К. О. Воропаев, Л. Я. Карачинский, “Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 50:22 (2024), 48–52
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KopStaNov24}
\by П.~Е.~Копытов, И.~А.~Старков, И.~И.~Новиков, С.~А.~Блохин, Д.~С.~Папылев, Р.~В.~Левин, В.~В.~Андрюшкин, Я.~Н.~Ковач, Е.~В.~Никитина, К.~О.~Воропаев, Л.~Я.~Карачинский
\paper Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2024
\vol 50
\issue 22
\pages 48--52
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6828}
\crossref{https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.22.59136.20059}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=74921599}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6828
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v50/i22/p48
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:20
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025