Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2024, том 50, выпуск 5, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.05.57175.19801 (Mi pjtf6616) 		 
Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии

И. А. Мельниченкоab, С. Д. Комаровa, А. С. Драгуноваa, А. А. Караборчевa, Э. И. Моисеевa, Н. В. Крыжановскаяa, И. С. Маховa, А. Е. Жуковa

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (266 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.05.57175.19801
Аннотация: С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAs$_x$P$_{1-x}$/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77–290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 $\mu$m.
Ключевые слова: наноструктуры А$_3$В$_5$, интеграция InAsP в кремний, InAsP/InP.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-22-20057
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ 22-22-20057 (https://rscf.ru/en/project/22-22-20057/) и гранта Санкт-Петербургского научного фонда в соответствии с соглашением № 66/2022 от 15 апреля 2022 г.
Поступила в редакцию: 13.11.2023
Исправленный вариант: 15.11.2023
Принята в печать: 15.11.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Мельниченко, С. Д. Комаров, А. С. Драгунова, А. А. Караборчев, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, А. Е. Жуков, “Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 3–6
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MelKomDra24}
\by И.~А.~Мельниченко, С.~Д.~Комаров, А.~С.~Драгунова, А.~А.~Караборчев, Э.~И.~Моисеев, Н.~В.~Крыжановская, И.~С.~Махов, А.~Е.~Жуков
\paper Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2024
\vol 50
\issue 5
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6616}
\crossref{https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.05.57175.19801}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=65006155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6616
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v50/i5/p3
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:15
    PDF полного текста:4
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025