Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 2, страницы 63–71 (Mi pjtf6535)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости

А. В. Кудринab, Ю. А. Даниловab, В. П. Лесниковa, Е. А. Питиримоваb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Методом лазерного распыления в вакууме получены ферромагнитные эпитаксиальные слои InFeAs электронного типа проводимости. В слоях InFeAs, полученных на подложках GaAs(111), наблюдается нелинейный по магнитному полю эффект Холла вплоть до комнатной температуры. Обнаружено влияние кристаллографической ориентации подложки GaAs на магнитные свойства слоев InFeAs.
Поступила в редакцию: 17.03.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 1, Pages 88–92
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016010259
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Е. А. Питиримова, “Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 63–71; Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 88–92
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudDanLes16}
\by А.~В.~Кудрин, Ю.~А.~Данилов, В.~П.~Лесников, Е.~А.~Питиримова
\paper Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 2
\pages 63--71
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6535}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669685}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 1
\pages 88--92
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016010259}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6535
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i2/p63
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    1. Hirotaka Hara, Keita Ishihara, Le Duc Anh, Hikari Shinya, Hiroshi Katayama-Yoshida, Masaaki Tanaka, “Strained Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As thin films grown on InP (001) substrates: Ferromagnetism and electronic structure”, Journal of Applied Physics, 137:10 (2025)  crossref
    2. Akhil Pillai, Shobhit Goel, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka, “Control of magnetic anisotropy by epitaxial strain in the n -type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb”, Phys. Rev. B, 108:1 (2023)  crossref
    3. В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости”, Физика твердого тела, 63:7 (2021), 866–873  mathnet  crossref; V. P. Lesnikov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, R. N. Kriukov, “Diode heterostructures with narrow-gap ferromagnetic A$^{3}$FeB$^{5}$ semiconductors of various conduction type”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1028–1035  mathnet  crossref
    4. Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Р. Н. Крюков, И. Н. Антонов, Д. С. Толкачев, А. В. Алафердов, З. Э. Кунькова, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, “Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2137–2140  mathnet  crossref; Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, R. N. Kriukov, I. N. Antonov, D. S. Tolkachev, A. V. Alaferdov, Z. E. Kun'kova, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, “The study of features of formation and properties of А$^{3}$В$^{5}$ semiconductors highly doped with iron”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2178–2181  mathnet  crossref
    5. А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202  mathnet; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222  mathnet  crossref
    6. A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, M. V. Dorokhin, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, I. N. Antonov, R. N. Kriukov, A. V. Alaferdov, N. A. Sobolev, “High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor”, Journal of Applied Physics, 122:18 (2017)  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025