Аннотация:
Методом лазерного распыления в вакууме получены ферромагнитные эпитаксиальные слои InFeAs электронного типа проводимости. В слоях InFeAs, полученных на подложках GaAs(111), наблюдается нелинейный по магнитному полю эффект Холла вплоть до комнатной температуры. Обнаружено влияние кристаллографической ориентации подложки GaAs на магнитные свойства слоев InFeAs.
Образец цитирования:
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Е. А. Питиримова, “Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 63–71; Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 88–92
\RBibitem{KudDanLes16}
\by А.~В.~Кудрин, Ю.~А.~Данилов, В.~П.~Лесников, Е.~А.~Питиримова
\paper Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 2
\pages 63--71
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6535}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669685}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 1
\pages 88--92
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016010259}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6535
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i2/p63
Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
Hirotaka Hara, Keita Ishihara, Le Duc Anh, Hikari Shinya, Hiroshi Katayama-Yoshida, Masaaki Tanaka, “Strained Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As thin films grown on InP (001) substrates: Ferromagnetism and electronic structure”, Journal of Applied Physics, 137:10 (2025)
Akhil Pillai, Shobhit Goel, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka, “Control of magnetic anisotropy by epitaxial strain in the
n
-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb”, Phys. Rev. B, 108:1 (2023)
В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости”, Физика твердого тела, 63:7 (2021), 866–873; V. P. Lesnikov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, R. N. Kriukov, “Diode heterostructures with narrow-gap ferromagnetic A$^{3}$FeB$^{5}$ semiconductors of various conduction type”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1028–1035
Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Р. Н. Крюков, И. Н. Антонов, Д. С. Толкачев, А. В. Алафердов, З. Э. Кунькова, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, “Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2137–2140; Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, R. N. Kriukov, I. N. Antonov, D. S. Tolkachev, A. V. Alaferdov, Z. E. Kun'kova, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, “The study of features of formation and properties of А$^{3}$В$^{5}$ semiconductors highly doped with iron”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2178–2181
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222
A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, M. V. Dorokhin, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, I. N. Antonov, R. N. Kriukov, A. V. Alaferdov, N. A. Sobolev, “High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor”, Journal of Applied Physics, 122:18 (2017)