|
Письма в Журнал технической физики, 1987, том 13, выпуск 19, страницы 1168–1171
(Mi pjtf639)
|
|
|
|
Создание SiC эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов SiC
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 09.06.1987
Образец цитирования:
В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Создание SiC эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов SiC”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987), 1168–1171
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf639 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v13/i19/p1168
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 70 | PDF полного текста: | 33 |
|