Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61; Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112

Письма в Журнал технической физики

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 3, страницы 55–61
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991 (Mi pjtf5896)

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

Р. Р. Резник^abcd, Г. Э. Цырлин^abcd, И. В. Штром^ab, А. И. Хребтов^a, И. П. Сошников^abe, Н. В. Крыжановская^a, Э. И. Моисеев^a, А. Е. Жуков^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

PDF полного текста (196 kB) Список цитирования (13)

DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991

Аннотация: Представлены результаты исследования роста нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111). Использование специальной методики подготовки подложек непосредственно перед ростом позволило получить практически 100% когерентных по отношению к подложке нитевидных нанокристаллов. Обнаружено интенсивное излучение от подобных наноструктур на длине волны

\sim

$\sim$ 1.3

μ

$\mu$ m при комнатной температуре.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	14-12-00393
Российский фонд фундаментальных исследований	16-29-03113-офи
Министерство образования и науки Российской Федерации	3.9787.2017/8.9 16.9791.2017/8.9
Образцы были синтезированы за счет гранта Российского научного фонда (проект № 14-12-00393). Работа выполнена при частичной поддержке грантов РФФИ 16-29-03113-офи и РФФИ 16-29-03037-офи, а также Министерства образования и науки РФ (проекты 3.9787.2017/8.9 и 16.9791.2017/8.9).

Поступила в редакцию: 28.07.2017

Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 2, Pages 112–114
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018020116

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61; Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{RezCirSht18}

\by Р.~Р.~Резник, Г.~Э.~Цырлин, И.~В.~Штром, А.~И.~Хребтов, И.~П.~Сошников, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев, А.~Е.~Жуков

\paper Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

\jour Письма в ЖТФ

\yr 2018

\vol 44

\issue 3

\pages 55--61

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5896}

\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740197}

\transl

\jour Tech. Phys. Lett.

\yr 2018

\vol 44

\issue 2

\pages 112--114

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018020116}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5896

https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i3/p55

Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:

Abror Davlatov, Gafur Gulyamov, Doston Urinboev, “Energy Levels of Nanodots Inside Semiconductor Nanowires”, Braz J Phys, 54:4 (2024)
T.M. Shugabaev, V.O. Gridchin, P. Bulkin, I.A. Melnichenko, A.A. Maksimova, K.P. Kotlyar, V.V. Lendyashova, K.V. Lickachev, N.V. Kryzhanovskaya, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, 2024 International Conference Laser Optics (ICLO), 2024, 387
A. I. Khrebtov, A. S. Kulagina, N. V. Sibirev, A. N. Yablonskiy, A. S. Ruban, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, V. V. Danilov, “Retranslation of Luminescence Excitation during Cascade Transitions in Hybrid Nanostructures Based on InP/InAsP/InP NWs and CdSe/ZnS-TOPO QDs”, Opt. Spectrosc., 132:4 (2024), 378
Talgat Shugabaev, Vladislav O. Gridchin, Ivan A. Melnichenko, Pavel Bulkin, Artem N. Abramov, Alexey Kuznetsov, Alina A. Maksimova, Ivan A. Novikov, Artem I. Khrebtov, Yevgeniy V. Ubyivovk, Konstantin P. Kotlyar, Natalia V. Kryzhanovskaya, Rodion R. Reznik, George E. Cirlin, “Surface Plasmon Polariton Photoluminescence Enhancement of Single InP Nanowires with InAsP Quantum Wells”, Physica Rapid Research Ltrs, 2024
Rodion R. Reznik, Igor V. Ilkiv, Konstantin P. Kotlyar, Vladislav O. Gridchin, Dariya N. Bondarenko, Vera V. Lendyashova, Evgenii V. Ubyivovk, Anna S. Dragunova, Natalia V. Kryzhanovskaya, George E. Cirlin, “Molecular‐Beam Epitaxy Growth and Properties of AlGaAs Nanowires with InGaAs Nanostructures”, Physica Rapid Research Ltrs, 16:7 (2022)
R R Reznik, K P Kotlyar, A I Khrebtov, G E Cirlin, “Features of the MBE growth of nanowires with quantum dots on the silicon surface”, J. Phys.: Conf. Ser., 2086:1 (2021), 012032
Artem I. Khrebtov, Vladimir V. Danilov, Anastasia S. Kulagina, Rodion R. Reznik, Ivan D. Skurlov, Alexander P. Litvin, Farrukh M. Safin, Vladislav O. Gridchin, Dmitriy S. Shevchuk, Stanislav V. Shmakov, Artem N. Yablonskiy, George E. Cirlin, “Influence of TOPO and TOPO-CdSe/ZnS Quantum Dots on Luminescence Photodynamics of InP/InAsP/InPHeterostructure Nanowires”, Nanomaterials, 11:3 (2021), 640
A V Vershinin, I P Soshnikov, K P Kotlyar, D A Kudryashov, Y B Samsonenko, V V Lysak, G E Cirlin, “InP nanowires on Si(111) for piezotronic applications”, J. Phys.: Conf. Ser., 1851:1 (2021), 012014
Р. Р. Резник, К. М. Морозов, И. Л. Крестников, К. П. Котляр, И. П. Сошников, L. Leandro, N. Akopian, Г. Э. Цырлин, “Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 47–50 ; R. R. Reznik, K. M. Morozov, I. L. Krestnikov, K. P. Kotlyar, I. P. Sotnikov, L. Leandro, N. Akopian, G. E. Cirlin, “Directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 405–408
Alexander A. Koryakin, Sergey A. Kukushkin, Konstantin P. Kotlyar, Evgenii D. Ubyivovk, Rodion R. Reznik, George E. Cirlin, “A new insight into the mechanism of low-temperature Au-assisted growth of InAs nanowires”, CrystEngComm, 21:32 (2019), 4707
K P Kotlyar, A V Vershinin, R R Reznik, S I Pavlov, D A Kudryashov, K S Zelentsov, A M Mozharov, A A Karaborchev, I S Mukhin, I P Soshnikov, G E Cirlin, “Photovoltaic properties of InP NWs/p-Si heterostructure”, J. Phys.: Conf. Ser., 1410:1 (2019), 012060
А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, Е. В. Убыйвовк, А. П. Литвин, И. Д. Скурлов, П. С. Парфёнов, А. С. Кулагина, В. В. Данилов, Г. Э. Цырлин, “Безызлучательный перенос энергии в гибридных наноструктурах с различной размерностью”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1289–1292 ; A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, E. V. Ubyivovk, A. P. Litvin, I. D. Skurlov, P. S. Parfenov, A. S. Kulagina, V. V. Danilov, G. E. Cirlin, “Nonradiative energy transfer in hybrid nanostructures with varied dimensionality”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1258–1261
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	102
PDF полного текста:	29

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы