Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 1, страницы 24–27
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.01.48859.18003
(Mi pjtf5223)
 

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния

Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Установлен факт улучшения параметров мемристора на основе SiO2 при создании каскадов смещения в приповерхностном слое пленки диоксида кремния в результате облучения ее ионами Xe+. Молекулярно-динамическое моделирование структуры аморфного SiO2, обогащенного кислородными вакансиями, показало возможность возникновения зародышей нанокластеров кремния, которые способны играть существенную роль в формировании и эволюции проводящих ток путей (филаментов) и тем самым влиять на параметры мемристора.
Ключевые слова: мемристивные структуры, диоксид кремния, филамент, ионное облучение, нанокластеры, молекулярно-динамическое моделирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-37-00456
Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта № 18-37-00456.
Поступила в редакцию: 29.07.2019
Исправленный вариант: 03.10.2019
Принята в печать: 03.10.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 1, Pages 19–22
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020010083
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 24–27; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 19–22
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OkuOkuTet20}
\by Е.~В.~Окулич, В.~И.~Окулич, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 1
\pages 24--27
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5223}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.01.48859.18003}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776847}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 1
\pages 19--22
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020010083}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5223
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i1/p24
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    1. Lucas A. Moisés, Adenilson J. Chiquito, “Memristive behavior in SnO2 wires guided by surface oxygen vacancy motion and H2O molecules: A study”, Journal of Applied Physics, 137:4 (2025)  crossref
    2. Arkady V. Yakimov, Alexey V. Klyuev, Dmitry O. Filatov, Oleg N. Gorshkov, Dmitry A. Antonov, Alexey N. Mikhaylov, Viktor S. Kochergin, Nikolaos Vasileiadis, Panagiotis Dimitrakis, “Effect of Nitrogen Ion Diffusion Jumps in Nanometer-Sized Si3N4 Memristors Investigated by Low-Frequency Noise Spectroscopy”, Fluct. Noise Lett., 23:01 (2024)  crossref
    3. K.S. Gabriels, T.V. Dubovitskaya, Yu.E. Kalinin, M.A. Kashirin, V.A. Makagonov, A.E. Nikonov, I.I. Popov, A.V. Sitnikov, V.A. Foshin, N.A. Tolstykh, “Inelastic relaxation in tin oxide thin films with an amorphous structure”, Thin Solid Films, 804 (2024), 140504  crossref
    4. E. V. Okulich, V. I. Okulich, I. K. Gainullin, D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhaylov, “Molecular Dynamics Simulation of Structural Transformations in the Conducting Channel of Memristors Based on Nonstoichiometric and Ion-Irradiated Silicon Oxides”, Moscow Univ. Phys., 79:5 (2024), 533  crossref
    5. Lucas A. Moisés, Adenilson J. Chiquito, “Enhancing the memristive effects in SnO2 nanowire networks”, Current Applied Physics, 53 (2023), 165  crossref
    6. Nilüfer Ertekin, Sasan Rezaee, “Lithium-Doped Barium Titanate as Advanced Cells of ReRAMs Technology”, J. Electron. Mater., 52:2 (2023), 1575  crossref
    7. А.А. Резванов, Е.А. Ганыкина, А.А. Орлов, С.А. Горохов, С.С. Зюзин, “ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОРИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ В КАЧЕСТВЕ БУФЕРНОГО СЛОЯ В МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ, “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника””, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2022, № 1, 69  crossref
    8. E.V. Okulich, V.I. Okulich, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, “Simulation of initial stage of silicon cluster formation during post-annealing of memristive structures based on silicon oxide films subjected to Si+ implantation”, Materials Letters, 310 (2022), 131494  crossref
    9. S.A. Gridnev, Yu.E. Kalinin, V.A. Dybov, I.I. Popov, M.A. Kashirin, N.A. Tolstykh, “Internal friction in thin-film ferrite bismuth with an amorphous structure”, Journal of Alloys and Compounds, 918 (2022), 165610  crossref
    10. Arkady V. Yakimov, Dmitry O. Filatov, Oleg N. Gorshkov, Alexey V. Klyuev, Nikolay I. Shtraub, Viktor S. Kochergin, Bernardo Spagnolo, “Influence of oxygen ion elementary diffusion jumps on the electron current through the conductive filament in yttria stabilized zirconia nanometer-sized memristor”, Chaos, Solitons & Fractals, 148 (2021), 111014  crossref
    11. А. В. Ситников, И. В. Бабкина, Ю. Е. Калинин, А. Е. Никонов, М. Н. Копытин, А. Р. Шакуров, В. В. Рыльков, “Влияние кислорода и паров воды на электрические свойства наногранулированных композитов (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100x”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1393–1402  mathnet  crossref  scopus; A. V. Sitnikov, I. V. Babkina, Yu. E. Kalinin, A. E. Nikonov, M. N. Kopytin, A. R. Shakurov, V. V. Ryl'kov, “The effect of oxygen and water vapor on the electric properties of (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100x nanogranular composites”, Tech. Phys., 66:12 (2021), 1284–1293  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:103
    PDF полного текста:74
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025