Аннотация:
Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе InGaAs/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки (КЯТ) с фронтальным и торцевым вводом излучения. Фотодетектор с 40 рядами КЯТ продемонстрировал спектральную чувствительность до 0.4 A/W в диапазоне 900–1100 nm при смещении -5 V. Постоянная времени спада импульсного отклика фотодетектора площадью 1.4 ⋅ 10−4 cm2 составила ∼250 ps.
Образец цитирования:
С. А. Минтаиров, И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In0.4Ga0.6As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 11–14; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222
S. A. Mintairov, S. A. Blokhin, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maximov, N. A. Maleev, A. M. Nadtochiy, R. A. Salii, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov, “High-Speed Photodetectors Based on InGaAs/GaAs Quantum Well–Dots”, Tech. Phys. Lett., 48:3 (2022), 161