|
Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями
С. Ю. Давыдовa, А. А. Лебедевa, П. В. Булатb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Севастопольский государственный университет
Аннотация:
Методом функций Грина определены электронные структуры сверхрешеток и капсулированных слоев. Предложена простая схема оценки межслойного перехода заряда. В качестве примера рассмотрены слои графена и графеноподобных соединений.
Ключевые слова:
2D-структура, сверхрешетка, капсулированный слой.
Поступила в редакцию: 01.06.2021 Исправленный вариант: 01.06.2021 Принята в печать: 05.07.2021
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 16–18
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4648 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i20/p16
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 74 | PDF полного текста: | 14 |
|