Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1989, том 15, выпуск 18, страницы 30–34 (Mi pjtf2877)  
Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах InGaAs/InP

С. И. Радауцан, Г. Л. Ляху, А. П. Снигур, В. А. Чумак, В. Г. Лапин, A. M. Маринова, К. Г. Ноздрина
PDF полного текста (417 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Радауцан, Г. Л. Ляху, А. П. Снигур, В. А. Чумак, В. Г. Лапин, A. M. Маринова, К. Г. Ноздрина, “Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 30–34
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RadChu89}
\by С.~И.~Радауцан, Г.~Л.~Ляху, А.~П.~Снигур, В.~А.~Чумак, В.~Г.~Лапин, A.~M.~Маринова, К.~Г.~Ноздрина
\paper Полевые транзисторы с~барьером Шоттки на гетероструктурах
InGaAs/InP
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1989
\vol 15
\issue 18
\pages 30--34
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf2877}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf2877
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v15/i18/p30
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025