Processing math: 100%
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1986, том 12, выпуск 17, страницы 1043–1045 (Mi pjtf246)  
Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)1−x(AlN)x

Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков
PDF полного текста (262 kB)
Поступила в редакцию: 09.06.1986
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)1−x(AlN)x”, Письма в ЖТФ, 12:17 (1986), 1043–1045
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NurPikRaz86}
\by Ш.~А.~Нурмагомедов, А.~Н.~Пихтин, В.~Н.~Разбегаев, Г.~К.~Сафаралиев, Ю.~М.~Таиров, В.~Ф.~Цветков
\paper Получение и~исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1986
\vol 12
\issue 17
\pages 1043--1045
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf246}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf246
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v12/i17/p1043
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025