Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1988, том 14, выпуск 17, страницы 1548–1552 (Mi pjtf2269)  
Электропоглощение при волноводном прохождении света через двойную гетероструктуру AlGaAs с квантоворазмерным слоем

Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, Т. В. Шубина, И. Л. Алейнер
PDF полного текста (428 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. П. Сейсян, А. А. Торопов, В. Р. Ларионов, В. П. Хвостиков, Т. В. Шубина, И. Л. Алейнер, “Электропоглощение при волноводном прохождении света через двойную гетероструктуру AlGaAs с квантоворазмерным слоем”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1548–1552
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SeiLarKhv88}
\by Р.~П.~Сейсян, А.~А.~Торопов, В.~Р.~Ларионов, В.~П.~Хвостиков, Т.~В.~Шубина, И.~Л.~Алейнер
\paper Электропоглощение при волноводном
прохождении света через двойную
гетероструктуру AlGaAs
с~квантоворазмерным слоем
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1988
\vol 14
\issue 17
\pages 1548--1552
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf2269}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf2269
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v14/i17/p1548
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025