Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1988, том 14, выпуск 4, страницы 289–293 (Mi pjtf1952)  
Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с p−n-затвором

В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков
PDF полного текста (387 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с p−n-затвором”, Письма в ЖТФ, 14:4 (1988), 289–293
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DmiIvaIli88}
\by В.~А.~Дмитриев, П.~А.~Иванов, Н.~Д.~Ильинская, А.~Л.~Сыркин, Б.~В.~Царенков, В.~Е.~Челноков, А.~Е.~Черенков
\paper Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с~$p{-}n$-затвором
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1988
\vol 14
\issue 4
\pages 289--293
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1952}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1952
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v14/i4/p289
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025