Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 1984, том 10, выпуск 2, страницы 118–121 (Mi pjtf1125)  

Исследование фотоэлектрических свойств гетероперехода ZnSeGaAs

Г. Г. Девятых, Б. В. Жук, А. А. Зленко, A. M. Прохоров, В. К. Xамылов, Г. П. Шипуло
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Г. Девятых, Б. В. Жук, А. А. Зленко, A. M. Прохоров, В. К. Xамылов, Г. П. Шипуло, “Исследование фотоэлектрических свойств гетероперехода ZnSeGaAs”, Письма в ЖТФ, 10:2 (1984), 118–121
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dev84}
\by Г.~Г.~Девятых, Б.~В.~Жук, А.~А.~Зленко, A.~M.~Прохоров, В.~К.~Xамылов, Г.~П.~Шипуло
\paper Исследование фотоэлектрических свойств гетероперехода
ZnSe$-$GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1984
\vol 10
\issue 2
\pages 118--121
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1125}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1125
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v10/i2/p118
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025