Пьезоемкостная спектроскопия радиационных дефектов в $p$-Si

Исследована зависимость энергии активации $E_{a}$ термической эмиссии дырок с радиационных дефектов (РД) от давления $P$ вдоль осей [100], [110] и [111] решетки Si. Относительные изменения ${\beta=\Delta E_{a}/P}$ для РД с ${E_{a}=E_{v}+0.35}$ эВ в зависимости от кристаллографического направления до отжига равно ${11\div14}$ мэВ/ГПа, после отжига— ${30\div45}$ мэВ/ГПа. Для уровня ${E_{v}+0.285}$ эВ, возникающего после отжига диодов при 250$^{\circ}$С, ${\beta\simeq20\div62}$ мэВ/ГПа.