|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 2028–2032
(Mi phts953)
|
|
|
|
Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках
AIIIBV при возбуждении электронным пучком
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков
Аннотация:
Экспериментально исследована в растровом
электронном микроскопе трехмерная функция генерации неравновесных
носителей в полупроводниках GaAs и GaInAsP. Параметры функции генерации
определялись при регистрации сигнала тока, индуцированного электронным
зондом в специально изготовленных гетероструктурах с
«внутренним» детектором. Впервые получено полное
аналитическое описание трехмерной функции генерации
электронно-дырочных пар в исследованных полупроводниках,
которое необходимо для решения практических задач
количественной растровой микроскопии.
Образец цитирования:
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках
AIIIBV при возбуждении электронным пучком”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2028–2032
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts953 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i11/p2028
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 94 | PDF полного текста: | 46 |
|