Остаточные дефекты в кремнии при имплантации ионов As$^{+}$ в самоотжиговом режиме

Методами обратного резерфордовского рассеяния (ОРР) и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) исследован характер радиационных нарушений, возникающих в кристаллах кремния ориентации (001) при высокоинтенсивной имплантации ионов As$^{+}$. Установлено, что дефекты имеют гексагональную структуру и образуются вблизи границы раздела аморфного слоя с кристаллической матрицей. Обсуждается возможный механизм образования дефектов и их роста.