|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 9, страницы 1642–1647
(Mi phts872)
|
|
|
|
Образование комплексов дефектов при стимулированной диффузии фосфора
в кремний
С. В. Гапонов, М. А. Калягин, М. Д. Стриковский
Аннотация:
Обнаружено и исследовано накопление в электрически
неактивном состоянии фосфора, диффундирующего в кремний при
∼600∘С под действием эрозионной лазерной плазмы с плотностью
потока j=1018÷1020см−2⋅с−1. Показано,
что в диапазоне j<1019см−1⋅с−2 скорость
накопления нелинейна по плотности потока. Предложена модель процесса,
учитывающая возможность формирования устойчивого комплекса при
последовательном захвате атомом примеси двух вакансий.
Модель описывает наблюдаемые в эксперименте нелинейный режим
и его насыщение.
Образец цитирования:
С. В. Гапонов, М. А. Калягин, М. Д. Стриковский, “Образование комплексов дефектов при стимулированной диффузии фосфора
в кремний”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1642–1647
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts872 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i9/p1642
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 61 | PDF полного текста: | 33 |
|