Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 9, страницы 1642–1647 (Mi phts872)  

Образование комплексов дефектов при стимулированной диффузии фосфора в кремний

С. В. Гапонов, М. А. Калягин, М. Д. Стриковский
Аннотация: Обнаружено и исследовано накопление в электрически неактивном состоянии фосфора, диффундирующего в кремний при 600С под действием эрозионной лазерной плазмы с плотностью потока j=1018÷1020см2с1. Показано, что в диапазоне j<1019см1с2 скорость накопления нелинейна по плотности потока. Предложена модель процесса, учитывающая возможность формирования устойчивого комплекса при последовательном захвате атомом примеси двух вакансий. Модель описывает наблюдаемые в эксперименте нелинейный режим и его насыщение.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Гапонов, М. А. Калягин, М. Д. Стриковский, “Образование комплексов дефектов при стимулированной диффузии фосфора в кремний”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1642–1647
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gap87}
\by С.~В.~Гапонов, М.~А.~Калягин, М.~Д.~Стриковский
\paper Образование комплексов дефектов при стимулированной диффузии фосфора
в~кремний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 9
\pages 1642--1647
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts872}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts872
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i9/p1642
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025