Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 10, страницы 993–996
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.10.53961.9963 (Mi phts7137) 		 
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs

А. М. Надточийa, И. А. Мельниченкоa, К. А. Ивановa, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, М. В. Максимовc, Н. В. Крыжановскаяa, А. Е. Жуковa

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (212 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.10.53961.9963
Аннотация: Методами спектроскопии фотолюминесценции в непрерывном режиме и с разрешением по времени исследована гетероструктура с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs в диапазоне температур 10–300 K. Полученное время спада ФЛ разделено на излучательную и безызлучательную составляющие времени жизни носителей заряда. Обнаружено, что излучательное время жизни демонстрирует экспоненциальный рост с увеличением температуры, в то время как температурная зависимость безызлучательного времени жизни намного слабее.
Ключевые слова: полупроводники, квантовые яма-точки, фотолюминесценция, временно́е разрешение, время жизни, температурная зависимость.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-72-10002
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0791-2020-0002
Работа выполнена при поддержке РНФ (грант 22-72-10002). Время-разрешенные исследования выполнены при поддержке Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ. М.В. Максимов и А.М. Надточий благодарят Министерство науки и высшего образования РФ (проект 0791-2020-0002).
Поступила в редакцию: 20.09.2022
Исправленный вариант: 26.09.2022
Принята в печать: 26.09.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Надточий, И. А. Мельниченко, К. А. Иванов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 993–996
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NadMelIva22}
\by А.~М.~Надточий, И.~А.~Мельниченко, К.~А.~Иванов, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, М.~В.~Максимов, Н.~В.~Крыжановская, А.~Е.~Жуков
\paper Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 10
\pages 993--996
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7137}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.10.53961.9963}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49988309}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7137
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i10/p993
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:6
    PDF полного текста:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025