Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм

Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In$_{0.74}$Ga$_{0.26}$As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к падению интегральной интенсивности фотолюминесценции, однако лазеры с волноводом In$_{0.53}$Ga$_{0.31}$Al$_{0.16}$As демонстрируют более высокие значения дифференциального усиления по сравнению с лазерами на основе волноводного слоя In$_{0.53}$Ga$_{0.27}$Al$_{0.20}$As.