Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 9, страницы 922–927
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53416.9878 (Mi phts7126) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек

А. Е. Жуковa, А. М. Надточийa, Н. В. Крыжановскаяa, Ю. М. Шерняковb, Н. Ю. Гордеевb, А. А. Серинb, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, А. С. Паюсовb, Г. О. Корнышовc, М. В. Максимовc, Y. Wangd

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Laser Institute, Shandong Academy of Sciences, 266100 Qingdao, P.R. China
PDF полного текста (333 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53416.9878
Аннотация: Экспериментально и с помощью численного моделирования исследованы внутренние потери на пороге генерации в лазерных резонаторах с плотными массивами квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых яма-точек) в зависимости от числа их рядов и величины потерь на вывод излучения. Найдены численные значения параметров, определяющие поглощение на свободных носителях в активной области и в расширенном волноводе. Определена оптимальная конструкция лазерного диода для достижения наибольшей внешней дифференциальной эффективности.
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, полупроводниковые наноструктуры, внутренние потери.
Финансовая поддержка Номер гранта
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0791-2020-0002
Работа выполнена при поддержке проекта “Новые оптические волноводы и резонаторы для торцевых и вертикальных лазерных диодов” (ФТИ-LISDAS). Моделирование выполнено при поддержке Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ. Работа частично поддержана Министерством науки и высшего образования РФ, проект 0791-2020-0002.
Поступила в редакцию: 04.05.2022
Исправленный вариант: 01.07.2022
Принята в печать: 08.07.2022
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2023, Volume 57, Issue 11, Pages 513–518
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782623090191
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, А. М. Надточий, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. А. Серин, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. С. Паюсов, Г. О. Корнышов, М. В. Максимов, Y. Wang, “Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 922–927; Semiconductors, 57:11 (2023), 513–518
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuNadKry22}
\by А.~Е.~Жуков, А.~М.~Надточий, Н.~В.~Крыжановская, Ю.~М.~Шерняков, Н.~Ю.~Гордеев, А.~А.~Серин, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, А.~С.~Паюсов, Г.~О.~Корнышов, М.~В.~Максимов, Y.~Wang
\paper Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 9
\pages 922--927
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7126}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53416.9878}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49607475}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2023
\vol 57
\issue 11
\pages 513--518
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782623090191}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7126
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i9/p922
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:7
    PDF полного текста:2
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025