Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 5, страницы 920–922 (Mi phts711)  
Краткие сообщения

Исследование образования монокристаллических слоев β-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)

П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, А. С. Игнатьев, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков
PDF полного текста (1839 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, А. С. Игнатьев, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, “Исследование образования монокристаллических слоев β-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 920–922
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleBarDem87}
\by П.~А.~Александров, Е.~К.~Баранова, К.~Д.~Демаков, А.~С.~Игнатьев, Ф.~Ф.~Комаров, А.~П.~Новиков
\paper Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на~Si
методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 5
\pages 920--922
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts711}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts711
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i5/p920
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025