Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 7, страницы 705–710
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52764.19
(Mi phts7087)
 

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц

Д. А. Беловa, А. В. Иконниковa, С. С. Пушкаревb, Р. Р. Галиевb, Д. С. Пономаревb, Д. Р. Хохловa, Д. В. Ушаковc, А. А. Афоненкоc, С. В. Морозовd, В. И. Гавриленкоd, Р. А. Хабибуллинbe

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, 117105 Москва, Россия
c Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Беларусь
d Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Проведены исследования влияния температуры на мощностные и спектральные характеристики квантово-каскадных лазеров на основе активного модуля из трех и четырех квантовых ям GaAs/Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As с резонансно-фононным дизайном и двойным металлическим волноводом из золота. Номинальные частоты исследуемых лазеров, работающих в импульсном режиме с длительностями 1.5–9 мкс, составляли 2.3 (A), 3.2 (B) и 4.1 (C) ТГц. Получены температурные зависимости интегральной выходной мощности квантово-каскадных лазеров, позволившие изучить возможные механизмы температурного затухания генерации по графикам Аррениуса, в том числе в зависимости от длительности импульса. Измерены спектры излучения лазеров как при фиксированных рабочих точках (лазеры A и С), так и со сканированием по току (лазер В) в широком диапазоне температур – от 5 до 120 K. Полученные результаты представляются полезными для изысканий, направленных на повышение максимальных рабочих температур квантово-каскадных лазеров.
Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, терагерцовый диапазон, квантовая яма, молекулярно-лучевая эпитаксия, энергия активации, температурное гашение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-72-30020
Фонд развития теоретической физики и математики БАЗИС 21-2-9-45-1
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 21-72-30020. Д.А. Белов благодарит за поддержку фонд “БАЗИС” (грант № 21-2-9-45-1).
Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Белов, А. В. Иконников, С. С. Пушкарев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Д. Р. Хохлов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. А. Хабибуллин, “Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 705–710
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelIkoPus22}
\by Д.~А.~Белов, А.~В.~Иконников, С.~С.~Пушкарев, Р.~Р.~Галиев, Д.~С.~Пономарев, Д.~Р.~Хохлов, Д.~В.~Ушаков, А.~А.~Афоненко, С.~В.~Морозов, В.~И.~Гавриленко, Р.~А.~Хабибуллин
\paper Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 7
\pages 705--710
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7087}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52764.19}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49223522}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7087
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i7/p705
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:5
    PDF полного текста:2
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025