А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 225

Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2, страницы 225–228
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51966.9752 (Mi phts7000)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок

$n$ -

$3\mathrm{C}$ -

$\mathrm{SiC}$ , выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек

$6H$ -

$\mathrm{SiC}$

А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

PDF полного текста (334 kB)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51966.9752

Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии получены сильно легированные пленки

$3\mathrm{C}$ -

$\mathrm{SiC}$ на основе полуизолирующих подложек

$6H$ -

$\mathrm{SiC}$ . Структурное совершенство полученных образцов контролировалось методом рентгеновской дифрактометрии. Проведенные измерения спектров фотолюминесцении и эффекта Холла подтвердили достаточно высокое совершенство полученных эпитаксиальных слоев.

Ключевые слова:

$\mathrm{SiC}$ , гетероэпитаксия, кубический карбид кремния, рентгеновская дифрактометрия, эффект Холла, фотолюминесценция.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований	20-0200117
Настоящая работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 20-0200117.

Поступила в редакцию: 11.10.2021
Исправленный вариант: 18.10.2021
Принята в печать: 18.10.2021

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок

$n$ -

$3\mathrm{C}$ -

$\mathrm{SiC}$ , выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек

$6H$ -

$\mathrm{SiC}$ ”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 225–228

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{LebDavEli22}

\by А.~А.~Лебедев, В.~Ю.~Давыдов, И.~А.~Елисеев, С.~П.~Лебедев, И.~П.~Никитина, Г.~А.~Оганесян, А.~Н.~Смирнов, Л.~В.~Шахов

\paper Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2022

\vol 56

\issue 2

\pages 225--228

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7000}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51966.9752}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48320159}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts7000

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i2/p225

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	7
PDF полного текста:	2

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы