Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом

Импульсное лазерное напыление в вакууме при 220$^\circ$C слоев GaAs, сильно легированных Mn и (или) Bi, использовано для формирования наноструктур на подложках $i$-GaAs (100). Показано, что для электрической активации марганца целесообразно использовать последующий отжиг импульсом эксимерного лазера с длиной волны 248 нм и длительностью 30 нс. Структуры показывают аномальный эффект Холла с петлей гистерезиса на магнитополевой зависимости вплоть до температуры Кюри $\sim$70 K. Отрицательное магнетосопротивление наблюдается вплоть до температур $\approx$150 K. Висмут не препятствует активации атомов Mn при отжиге и способствует увеличению коэрцитивного поля ферромагнитного полупроводника GaMnAs.