Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 4, страницы 301–307
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.04.55902.5262 (Mi phts6873) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs

М. В. Максимовa, Ю. М. Шерняковb, Г. О. Корнышовa, О. И. Симчукa, Н. Ю. Гордеевb, А. А. Бекманb, А. С. Паюсовb, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, М. М. Кулагинаb, А. Е. Жуковc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (823 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.04.55902.5262
Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды с активной областью на основе 5 и 7 слоев квантовых яма-точек InGaAs/GaAs. Для реализации широкого спектра излучения без значительных провалов максимумы излучения отдельных слоев квантовых яма-точек сдвинуты друг относительно друга на 15–35 нм. Центральная длина волны суперлюминесцентных диодов составила ∼1 мкм, а ширина линии излучения на половине высоты – 92 и 103 нм для суперлюминесцентных диодов с 5 и 7 слоями квантовых яма-точек соответственно.
Ключевые слова: квантовые яма-точки, широкополосный источник излучения, суперлюминесцентный диод.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 23-72-00038
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0791-2020-0002
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 23-72-00038, https://rscf.ru/en/project/23-72-00038/. О.И. Симчук благодарит Министерство науки и высшего образования РФ (проект 0791-2020-0002) за поддержку исследования поверхностных дефектов образцов методами темнопольной и светлопольной спектроскопии.
Поступила в редакцию: 26.05.2023
Исправленный вариант: 16.06.2023
Принята в печать: 23.06.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, О. И. Симчук, Н. Ю. Гордеев, А. А. Бекман, А. С. Паюсов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. М. Кулагина, А. Е. Жуков, “Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023), 301–307
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakSheKor23}
\by М.~В.~Максимов, Ю.~М.~Шерняков, Г.~О.~Корнышов, О.~И.~Симчук, Н.~Ю.~Гордеев, А.~А.~Бекман, А.~С.~Паюсов, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, М.~М.~Кулагина, А.~Е.~Жуков
\paper Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 4
\pages 301--307
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6873}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.04.55902.5262}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=54202389}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6873
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i4/p301
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:11
    PDF полного текста:3
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025