А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, “Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 53

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 1, страницы 53–57
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54930.4475 (Mi phts6833)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4

H

$H$ -SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур

А. А. Лебедев^a, В. В. Козловский^b, М. Е. Левинштейн^a, Д. А. Малевский^a, Г. А. Оганесян^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

PDF полного текста (341 kB) Список цитирования (1)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54930.4475

Аннотация: Влияние протонного облучения (энергия протонов 15 МэВ) на параметры высоковольтных 4

H

$H$ -SiC интегрированных (JBS) диодов Шоттки впервые исследовано в диапазоне рабочих температур

T_{i}

$T_i$ (23 и 175

^{\circ}

$^\circ$ С). Блокирующее напряжение исследованных диодов,

U_{b}

$U_b$ составляло 600 и 1700 В. Для приборов c

U_{b}

$U_b$ = 600 В диапазон флюенсов

Φ

$\Phi$ составлял 5

\cdot

$\cdot$ 10

^{13}

$^{13}$ –1

\cdot

$\cdot$ 10

^{14}

$^{14}$ см

^{- 2}

$^{-2}$ ; для приборов c

U_{b}

$U_b$ = 1700 В величина

Φ

$\Phi$ составила и 3

\cdot

$\cdot$ 10

^{13}

$^{13}$ –6

\cdot

$\cdot$ 10

^{13}

$^{13}$ см

^{- 2}

$^{-2}$ . Увеличение температуры облучения приводит к заметному уменьшению влияния облучения на вольт-амперные характеристики диодов. Исследовано влияние отжига на вольт-амперные характеристики облученных приборов.

Ключевые слова: карбид кремния, диоды Шоттки, протонное облучение, отжиг, вольт-амперные характеристики.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский научный фонд	22-12-00003
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта РНФ № 22-12-00003.

Поступила в редакцию: 21.12.2022
Исправленный вариант: 16.01.2023
Принята в печать: 16.01.2023

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, “Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4

H

$H$ -SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023), 53–57

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{LebKozLev23}

\by А.~А.~Лебедев, В.~В.~Козловский, М.~Е.~Левинштейн, Д.~А.~Малевский, Г.~А.~Оганесян

\paper Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2023

\vol 57

\issue 1

\pages 53--57

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6833}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.01.54930.4475}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50399146}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts6833

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i1/p53

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373 [K. V. Likhachev, A. M. Skomorokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovsky, M. E. Levinshteǐn, I. A. Eliseyev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 120:5 (2024), 367–373 ]

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	10
PDF полного текста:	2

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы