О ТГц лазерах на циклотронном резонансе в графене в скрещенных $E$, $H$ полях при $T$ = 300 K и в непрерывном режиме

В рамках классического рассмотрения электронных траекторий в скрещенных $E$, $H$ полях и проводимости системы электронов на циклотронном резонансе в однослойном графене обсуждается возможность осуществления ТГц циклотронного лазера в сандвиче нитрид бора – однослойный графен. На основе упрощенного подхода с использованием известных данных о частотах рассеяния электронов в графене продемонстрировано, что циклотронный лазер может функционировать в непрерывном режиме при комнатной температуре на частотах выше 0.5–1 ТГц в магнитном поле $>$ 5000–10000 Гс. Кратко рассмотрено влияние квантования уровней Ландау, возможность усиления на гармониках циклотронной частоты и особенности усиления при пониженных температурах.