Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 12, страницы 668–675
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.12.59827.7548 (Mi phts6820) 		 
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия

А. С. Пузановab, И. Ю. Забавичевab, Н. Д. Абросимоваa, В. В. Бибиковаab, Е. В. Волковаb, А. Д. Недошивинаb, А. А. Потехинab, Е. А. Тарасоваb, С. В. Хазановаb, Б. А. Логиновc, Д. Ю. Блинниковd, В. С. Второваd, Е. А. Ляшкоd, В. В. Кирилловаd, В. С. Макеевd, А. Р. Первыхd, С. В. Оболенскийab

a Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607188 Саров, Нижегородская обл., Россия
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 124498 Зеленоград, Москва, Россия
d Научно-технологический университет "Сириус", 354349 Сочи, Россия
PDF полного текста (475 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.12.59827.7548
Аннотация: При помощи метода двумерного флуктуационного анализа проведена обработка изображений поверхности структур кремний-на-изоляторе. Установлено, что параметр Херста необлученной поверхности составляет H0 = 0.93, облученной γ-квантами Hγ = 0.71–0.87, облученной нейтронами Hn = 0.91–0.94, что указывает на нестепенные корреляции функции высоты и процессы типа случайного блуждания для всех исследованных образцов. Рассмотрено влияние радиации на изменение среднеквадратичного отклонения и корреляционной длины микрошероховатости поверхности образцов на микроуровне и деградации подвижности носителей заряда на макроуровне.
Ключевые слова: кремний-на-изоляторе, микрошероховатость, подвижность носителей заряда, флуктуационный анализ, фрактальная размерность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FSWR-2024-0003
Работа профинансирована Министерством науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (FSWR-2024-0003).
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Пузанов, И. Ю. Забавичев, Н. Д. Абросимова, В. В. Бибикова, Е. В. Волкова, А. Д. Недошивина, А. А. Потехин, Е. А. Тарасова, С. В. Хазанова, Б. А. Логинов, Д. Ю. Блинников, В. С. Второва, Е. А. Ляшко, В. В. Кириллова, В. С. Макеев, А. Р. Первых, С. В. Оболенский, “Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 668–675
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PuzZabAbr24}
\by А.~С.~Пузанов, И.~Ю.~Забавичев, Н.~Д.~Абросимова, В.~В.~Бибикова, Е.~В.~Волкова, А.~Д.~Недошивина, А.~А.~Потехин, Е.~А.~Тарасова, С.~В.~Хазанова, Б.~А.~Логинов, Д.~Ю.~Блинников, В.~С.~Второва, Е.~А.~Ляшко, В.~В.~Кириллова, В.~С.~Макеев, А.~Р.~Первых, С.~В.~Оболенский
\paper Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2024
\vol 58
\issue 12
\pages 668--675
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6820}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2024.12.59827.7548}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=80348246}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6820
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v58/i12/p668
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:17
    PDF полного текста:4
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025