Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 10, страницы 529–532
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.10.59373.6448A
(Mi phts6794)
 

Международная конференция ФизикА.СПб/2024, 21-25 октября 2024 г., Санкт-Петербург

Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)

В. В. Андрюшкинa, И. И. Новиковa, А. Г. Гладышевa, А. В. Бабичевa, В. Н. Неведомскийb, Д. С. Папылевa, Е. С. Колодезныйa, Л. Я. Карачинскийa, А. Ю. Егоровc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Представлены результаты исследования влияния расположения и химического состава квантовых ям InGaAs в гетероструктурах GaAs/AlGaAs/InGaP/InGaAs на оптические свойства квантовых точек InGaP(As), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора мышьяком в слое InGaP в процессе эпитаксиального роста. Показано, что длинноволновый сдвиг максимума фотолюминесценции массива квантовых точек наблюдается при использовании квантовой ямы InGaAs в качестве покрывающего слоя, однако, использование квантовой ямы InGaAs в качестве поверхности формирования квантовых точек InGaP(As) не приводит к сдвигу длины волны максимума фотолюминесценции. Увеличение мольной доли InAs в покрывающем слое InGaAs с 0.17 до 0.23 приводит к длинноволновому сдвигу максимума спектра фотолюминесценции массива квантовых точек на 108 нм.
Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, квантовые точки, гетероструктура, полупроводники.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 2019-1442
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект тематики научных исследований № 2019-1442 (код научной темы FSER-2020-0013).
Поступила в редакцию: 02.05.2024
Исправленный вариант: 30.07.2024
Принята в печать: 30.10.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Андрюшкин, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, А. В. Бабичев, В. Н. Неведомский, Д. С. Папылев, Е. С. Колодезный, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, “Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 529–532
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndNovGla24}
\by В.~В.~Андрюшкин, И.~И.~Новиков, А.~Г.~Гладышев, А.~В.~Бабичев, В.~Н.~Неведомский, Д.~С.~Папылев, Е.~С.~Колодезный, Л.~Я.~Карачинский, А.~Ю.~Егоров
\paper Влияние химического состава окружающих слоев на оптические свойства квантовых точек InGaP(As)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2024
\vol 58
\issue 10
\pages 529--532
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6794}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2024.10.59373.6448A}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=79492286}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6794
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v58/i10/p529
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:11
    PDF полного текста:3
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025